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北京快3帧长可配置Turbo编译码器的系统结构和应用设计

时间:2020-10-24 05:45

  on)是3GPP展开的对UMTS技术的长期演进计划。LTE具有高数据速率、低延迟、分组传送、广域覆盖和向下兼容等显著优势,在各种“准4G”标准中脱颖而出,最具竞争力和运营潜力。运营商普遍选择LTE,为全球移动通信产业指明了技术发展的方向。设备制造商亦纷纷加大在LTE领域的投入,其中包括、北电、NEC和大唐等一流设备制造商,从而有力地推动LTE不断前进,使LTE的商用相比其他竞争技术更加令人期待。

  Turbo码以其接近香农极限的优异纠错性能被选为LTE标准的信道编码方案之一。对Turbo编译码器进行FPGA集成设计,能够加速LTE的商用步伐,具有广阔的应用前景。在不同的信道环境中,通信系统对信息可靠性和数据实时性具有不同的指标要求,实际应用中必须对二者进行适当折中。因此,硬件设计一种纠错性能与译码时延可灵活配置的Turbo码编译码器更具商业价值。

  Turbo码的误码性能在很大程度上取决于信息帧长,信息帧越长,译码性能越好,代价是译码延时的增大。基于这一点,本设计提出一种帧长可配置的Turbo码编译码器的FPGA实现方案,详细介绍了该系统中交织器的工作原理,并对时序仿真结果和功能实现情况进行了分析,为LTE标准下Turbo编译码专用集成芯片的开发提供了参考。

  LTE标准中,信道编码主要采用Tail Biting(咬尾)卷积码和Turbo编码两种方案。其中Turbo码码率为1/3,由两个生成多项式系数为(13,15)的递归系统卷积码(RSC)和一个QPP(二次置换多项式)随机交织器组成,采用典型的PCCC编码结构。

  根据Turbo码编译码结构原理可知,信息帧长关键取决于交织深度的大小,如果交织器能够根据不同帧长参数自动植入不同的交织图样,并对其他模块进行相应参数控制,即可实现设计功能。由此得到可配置Turbo编译码器的设计思想:在编译码之前,由键盘电路输入信息帧长,系统据此对编译码器进行初始化,主要包括设置电路中存储器的深度,计算、存储交织图样,并通过LCD同步显示帧长信息;初始化过程结束时输出状态标志位,编译码器进入准备状态,一旦有数据输入,即启动编译码流程。由此得到Turbo编译码器系统结构图如图1所示。

  图1的Turbo码编译码器中,所有有关信息长度的参数均设置为输入变量,包括存储器深度、计数器周期等,以方便配置。

  交织器是Turbo编译码器的主要构成部分之一,其能否根据帧长参数产生相应的交织图样也是本设计的关键所在。LTE标准中规定交织器采用QPP伪随机交织方案,交织长度范围为40“6 114,该方案对不同帧长产生不同的交织图样,能够有效改善码字的汉明距离和码重分布。假设输入交织器的比特序列为d0,d1,…,dK-1,其中K为信息序列帧长,交织器输出序列d′0,d′1,…,d′K-1。则有:

  传统交织器的FPGA设计一般采用软件编程的方法。根据通信协议,将所确定帧长的交织图样预先计算出来,生成存储器初始化文件(.mif或.hex格式)载入到ROM中。这样虽然降低了硬件复杂度,却不能自行配置编码帧长,缺乏灵活性和通用性。因此,设计中将交织算法集成于FPGA内部,需要改变信息帧长时启动交织器重新计算交织地址存储于RAM中。QPP交织器的硬件结构框图如图2所示。

  图2中,在系统初始化阶段,由键盘电路采集输入的信息帧长K,经消抖处理,一路传输给LCD同步显示模块,另一路传送到f1、f2运算单元,查表得到f1、f2的值,提供给交织算法集成模块。

  交织算法集成单元是交织器设计的核心部分。主要功能是根据LTE协议标准以及参数K、f1、f2,在时序控制模块的约束下,计算交织地址。运算过程中,将FPGA不能综合的对任意整数取余的运算,均转化为固定次数的加减循环操作,在时钟管理模块的控制下,采取小时钟计算、大时钟输出的措施,保证交织数据的正确读取。

  计算交织地址的同时产生写入地址,将交织地址顺序存储到双口RAM中,由此完成了交织器的主体设计。随后发送握手信号,可以开始Turbo码编译码流程。

  因为并不是每帧信息编译码时都需要运行交织算法模块,所以只是在初始化阶段载入交织地址,使交织算法与编译码器分时工作。调用交织器模块时只需将顺序地址输入到双口RAM的读地址端,便能得到既定帧长的QPP伪随机交织地址,不会增加译码延时。得到交织图样以后即可进行交织、解交织过程。

  在完成交织模块的基础上对Turbo码编码器进行FPGA设计。Turbo码编码器由RSC(递归系统卷积码)子编码器、交织器、复接电路等构成,硬件实现框图如图3所示。

  系统初始化完毕后,交织器已存储有对应帧长的交织图样,编码器首先接收到一帧信息存储于RAM中,开始信号启动编码过程。在时钟管理模块和时序控制模块的指引下,计数器产生顺序地址,再按该顺序地址访问交织器得到交织地址,分别以顺序地址和交织地址从存储有信息序列的RAM中读取数据进入对应的RSC进行编码,同时复接电路对信息位和校验位进行并串转换,一帧信息编码完毕对子编码器做归零处理。

  Turbo码译码器相对于编码器来说硬件结构更加复杂,根据译码原理和交织器实现方式,得到译码器实现结构图如图4所示。

  为节省硬件资源,本文设计的Turbo码译码器采用子译码器单核复用的结构模式。当子译码器模块作为子译码器1时,信息比特顺序写入存储器后顺序读出到子译码器中,L_a2以交织地址写入存储器,顺序地址读出作为子译码器1的先验信息,同时校验位选择yp1,子译码器1根据3个输入进行SISO(软输入软输出)译码运算,得到新的L_a2及L_e;此后子译码器作为子译码器2,以交织地址将ys从存储器中读出,L_a2以顺序地址写入存储器,交织地址读出作为子译码器2的先验信息,同时校验位选择yp2,子译码器2根据3个输入进行SISO(软输入软输出)译码运算,得到新的L_a2及L_e,完成一次迭代。在满足迭代停止准则以后,将L_e解交织后进行硬判决,得到译码序列。

  设计中,子译码器采用复杂度与性能折中的Max-Log-MAP译码算法。根据输入的信息位、校验位及先验概率信息,在时序控制模块的管理下,分别进行分支转移度量、前向状态度量、后向状态度量和对数似然比的计算及存储,以备下次译码运算调用。

  依据初始化分支转移度量值,由(13,15)RSC的篱笆图,找出当前时刻前向状态度量与前一时刻前向状态度量的对应关系,计算当前时刻的前向状态度量。依次递推,为防止数据溢出范围,每次迭代对其进行归一化处理,得到实现框图如图5所示。后向状态度量与前向状态度量具有相似的运算结构,只是逆向递推而已。

  由对数似然比的定义,将得到的分支转移度量、前向状态度量和后向状态度量代入运算公式,对3种输入参量进行组合运算,然后取出“1”路径8种状态中的最小值和“0”路径8种状态的最小值,做差即得到Max-Log-MAP算法中的对数似然比。迭代数次后进行辅助硬判决,解交织输出即为传回信宿的译码序列。

  在Quartus Ⅱ开发工具上,以Stratix III 系列的EP3-SL150F1152C2为配置平台,用VerilogHDL语言对上述各功能模块进行编程建模,调试统一后编译综合,得到编译码器主要硬件资源占用情况如表1所示。

  建立波形文件,分别对Turbo码进行时序仿真,得到信息帧长分别配置为128、512时,Turbo码编码器的仿线(b)所示。‘’

  图6中,每帧码字序列的结尾,都有12个系统尾比特,以使编码器寄存器回归全零状态。经多次验证,与Matlab仿真数据进行对比,结果正确。

  将编码码字量化后存储于ROM中,提供给译码器进行时序仿真,得到信息帧长分别配置为128、512(码字序列长度分别为396、1 548)时,Turbo码译码器的仿线(b)所示。

  图7中,译码器首先根据帧长设置初始化交织图样,然后对系统码字解复接,得到信息序列(ys)、校验位1(yp1)及校验位2(yp2),与外信息(L_all)一起输入子译码器进行SISO译码运算,迭代6次以后判决得到译码结果(decoderout)。

  设置不同的信息帧长,经多次仿真验证,均能正确实现编译码功能。将程序下载配置到EP3SL150F1152C2中,利用VC软件编写测试窗口,进行测试。结果显示,本设计可以利用外围键盘电路自行输入帧长,进行交织运算,得到交织图样,并能正确实现Turbo编译码功能,达到了设计要求。

  本设计以LTE为应用背景,实现了一种可根据信道环境现场配置帧长的Turbo编译码的硬件方案。将QPP交织算法集成于FPGA内部,充分利用其时钟频率高、速度快的优势,减小了外围接口电路消耗。在系统初始化时进行交织运算,先于Turbo编译码进程开始,两者分时工作,协调统一,不会带来额外的时延。所实现的Turbo码编译码器是一种比较理想的通用型方案,为LTE标准下Turbo编解码专用集成芯片的开发与推广提供了参考。

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  ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

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  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...